X25-M SSD 內部：10 通道快閃
X25-M 為何這麼快？
這個問題問得好：到底 Intel 如何創造出一部比高階 SLC 產品還快的 MLC 快閃 SSD？為什麼 Intel 產品的儲存容量為 80 GB 或 160 GB，而矽晶片通常是 32、64 與 128 GB 等 2 的平方數呢？答案在於多通道快閃技術。Intel 採用自家設計 SATA/300 控制器，並以 16 MB 快取記憶體一次定址多個不同的 MLC 快閃通道。它也利用原生命令佇列 (native command queuing; NCQ) 技術，以有效跨所有可用通道分散讀取與寫入作業。在看過印刷電路板後，你會瞭解底部搭載控制器與快取記憶體 (連帶十個記憶體通道中的五個；每通道兩顆快閃晶片)，頂面則裝上另外十個晶片。
目前世代的 50 nm NAND 快閃可每個晶片儲存 32 Gbit (4 GB)。如果用上 20 顆晶片 (每通道兩顆乘上 10 通道)，就可以得到 80 GB 的容量。如果橫跨 10 通道分散讀取與寫入，效能明顯可以漂亮延展。不過我們仍感好奇的是，Intel 如何建置 80 GB (甚至是稍後的 160 GB) 到 1.8 吋尺寸規格中－20 顆快閃晶片加上控制器與 DRAM 應該放不進 1.8 吋包裝中 (即使使用雙面印刷電路板)。Intel 勢必要使用少數的較高密度快閃晶片，但對於這種佈局的真相，我們也只能猜測。「最高」 250 MB 讀取與 70 MB/s 寫入效能的規格意味著，並非所有型號的效能都能一致。
Samsung 製造的板載 16 MB DRAM 晶片是也可在形形色色傳統硬碟上見到的零件－這點令人玩味。這也是第一款建置 NCQ 技術的快閃 SSD－在可以直接存取的碟機上，NCQ 通常無太大意義。不過 DRAM 緩衝的存在不在於增加效能或為了效能而服務 NCQ，它是用來支援寫入放大 (write amplification) 控制；基本上這是 Intel 改善效能同時增加預期壽命 (life expectancy) 的努力。
